Photo diode, OSI Optoelectronics, Infrarouge, Si, Traversant, boîtier TO-8
Documents techniques
Spécifications
Brand
OSI OptoelectronicsSpectres détectés
Infrared
Spectrum(s) Detected
Infrared
Pic de sensibilité de longueur d'onde
970nm
Type de conditionnement
TO-8
Type de montage
Through Hole
Fonction d'amplificateur
No
Nombre de broches
2
Matériau de la diode
Si
Longueur d'onde minimum détectée
350nm
Longueur d'onde maximum détectée
1100nm
Taille
0.205in
Photosensibilité de pointe
0.65A/W
Diamètre
13.97mm
Temps de croissance
24ns
Série
PIN
Polarité
Inverse
Pays d'origine
Malaysia
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€ 64,61
€ 64,61 Each (hors TVA)
1
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| Quantité | Prix unitaire |
|---|---|
| 1 - 1 | € 64,61 |
| 2 - 4 | € 62,55 |
| 5+ | € 58,36 |
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Through Hole
Fonction d'amplificateur
No
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2
Matériau de la diode
Si
Longueur d'onde minimum détectée
350nm
Longueur d'onde maximum détectée
1100nm
Taille
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