Module d'alimentation en carbure de silicium ROHM canal N, C 300 A 1200 V, 4 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
ROHMType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
300 A
Tension Drain Source maximum
1200 V
Série
BSM
Type de conditionnement
c
Type de fixation
CMS
Nombre de broche
4
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Tension de seuil minimale de la grille
1.6V
Dissipation de puissance maximum
1875 W
Nombre d'éléments par circuit
2
Largeur
57.95mm
Longueur
152mm
Matériau du transistor
SiC
Température d'utilisation maximum
150 °C
Température de fonctionnement minimum
-40 °C
Hauteur
17mm
Pays d'origine
Japan
Détails du produit
SiC Power Modules, ROHM
The Module consists of a Silicon-Carbide (SiC) DMOS Power FET Devices with a Schottky Barrier Diode (SBD) across the Drain and Source.
MOSFET Transistors, ROHM Semiconductor
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€ 3 700,42
€ 925,106 Each (In a Tray of 4) (hors TVA)
4
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4
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4V
Tension de seuil minimale de la grille
1.6V
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2
Largeur
57.95mm
Longueur
152mm
Matériau du transistor
SiC
Température d'utilisation maximum
150 °C
Température de fonctionnement minimum
-40 °C
Hauteur
17mm
Pays d'origine
Japan
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