MOSFET STMicroelectronics canal N, A-220 9 A 200 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
9 A
Tension Drain Source maximum
200 V
Séries
STripFET
Type d'emballage
TO-220
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
400 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
75000 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
4.6mm
Charge de Grille type @ Vgs
31 nC V @ 10
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10.4mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Taille
9.15mm
Température de fonctionnement minimum
-65 °C
Détails du produit
Canal N STripFET™, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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Prix sur demande
Each (Supplied in a Tube) (hors TVA)
Paquet de production (Tube)
5
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Through Hole
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3
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Mode de canal
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Tension de seuil maximale de la grille
4V
Tension de seuil minimale de la grille
2V
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Configuration du transistor
Single
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±20 V
Largeur
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Charge de Grille type @ Vgs
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Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
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Longueur
10.4mm
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