MOSFET STMicroelectronics canal N, A-220 9 A 200 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
9 A
Tension Drain Source maximum
200 V
Type de conditionnement
TO-220
Séries
STripFET
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
400 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
75000 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Largeur
4.6mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10.4mm
Charge de Grille type @ Vgs
31 nC V @ 10
Taille
9.15mm
Température de fonctionnement minimum
-65 °C
Détails du produit
Canal N STripFET™, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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€ 35,32
€ 0,706 Each (In a Tube of 50) (hors TVA)
50
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| Quantité | Prix unitaire | Par Tube |
|---|---|---|
| 50 - 50 | € 0,706 | € 35,32 |
| 100 - 200 | € 0,644 | € 32,21 |
| 250+ | € 0,629 | € 31,44 |
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Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
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Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
75000 mW
Configuration du transistor
Single
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±20 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Largeur
4.6mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10.4mm
Charge de Grille type @ Vgs
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Taille
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