MOSFET STMicroelectronics canal N, A-220 13 A 600 V, 3 broches

N° de stock RS: 485-7490PMarque: STMicroelectronicsN° de pièce Mfr: STP13NK60Z
brand-logo
Tout voir dans Transistors MOSFET

Documents techniques

Spécifications

Brand

STMicroelectronics

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum

13 A

Tension Drain Source maximum

600 V

Séries

MDmesh, SuperMESH

Type de boîtier

TO-220

Type de montage

Through Hole

Nombre de broche

3

Résistance Drain Source maximum

550 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil maximale de la grille

4.5V

Tension de seuil minimale de la grille

3V

Dissipation de puissance maximum

150 W

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

±30 V

Charge de Grille type @ Vgs

66 nC @ 10 V

Largeur

4.6mm

Matériau du transistor

Si

Nombre d'éléments par circuit

1

Longueur

10.4mm

Température d'utilisation maximum

150 °C

Taille

9.15mm

Température de fonctionnement minimum

-55 °C

Détails du produit

Canal N MDmesh™ SuperMESH™, 250 V à 650 V, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Idée. Créer. Collaborer

S'INSCRIRE GRATUITEMENT

Pas de frais cachés !

design-spark
design-spark
  • Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
  • Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
  • Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
Cliquez ici pour en savoir plus
Vous pouvez être intéressé par
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.

€ 14,17

Each (Supplied in a Tube) (hors TVA)

MOSFET STMicroelectronics canal N, A-220 13 A 600 V, 3 broches
Sélectionner le type d'emballage

Paquet de production (Tube)

Sélectionner le type d'emballage

Standard - each

Disponible en multiples de 5.

Production -

Disponible en multiples de 5.

Recommandé pour les commandes en grandes quantités. Les articles sont emballés prêts à être insérés dans les machines, ce qui vous permet d'améliorer l'efficacité de votre production.

10

Disponible en multiples de 5
10€ 14,17
15€ 21,25
20€ 28,33
25€ 35,42
30€ 42,50
35€ 49,58
40€ 56,67
45€ 63,75
50€ 70,83
55€ 77,92
60€ 85,00
65€ 92,08
70€ 99,17
75€ 106,25
80€ 113,34

€ 14,17

Each (Supplied in a Tube) (hors TVA)

MOSFET STMicroelectronics canal N, A-220 13 A 600 V, 3 broches
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Sélectionner le type d'emballage

Paquet de production (Tube)

Sélectionner le type d'emballage

Standard - each

Disponible en multiples de 5.

Production -

Disponible en multiples de 5.

Recommandé pour les commandes en grandes quantités. Les articles sont emballés prêts à être insérés dans les machines, ce qui vous permet d'améliorer l'efficacité de votre production.

10

Disponible en multiples de 5
10€ 14,17
15€ 21,25
20€ 28,33
25€ 35,42
30€ 42,50
35€ 49,58
40€ 56,67
45€ 63,75
50€ 70,83
55€ 77,92
60€ 85,00
65€ 92,08
70€ 99,17
75€ 106,25
80€ 113,34

Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.

Veuillez vérifier à nouveau plus tard.

Idée. Créer. Collaborer

S'INSCRIRE GRATUITEMENT

Pas de frais cachés !

design-spark
design-spark
  • Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
  • Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
  • Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
Cliquez ici pour en savoir plus
Vous pouvez être intéressé par

Documents techniques

Spécifications

Brand

STMicroelectronics

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum

13 A

Tension Drain Source maximum

600 V

Séries

MDmesh, SuperMESH

Type de boîtier

TO-220

Type de montage

Through Hole

Nombre de broche

3

Résistance Drain Source maximum

550 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil maximale de la grille

4.5V

Tension de seuil minimale de la grille

3V

Dissipation de puissance maximum

150 W

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

±30 V

Charge de Grille type @ Vgs

66 nC @ 10 V

Largeur

4.6mm

Matériau du transistor

Si

Nombre d'éléments par circuit

1

Longueur

10.4mm

Température d'utilisation maximum

150 °C

Taille

9.15mm

Température de fonctionnement minimum

-55 °C

Détails du produit

Canal N MDmesh™ SuperMESH™, 250 V à 650 V, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Idée. Créer. Collaborer

S'INSCRIRE GRATUITEMENT

Pas de frais cachés !

design-spark
design-spark
  • Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
  • Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
  • Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
Cliquez ici pour en savoir plus
Vous pouvez être intéressé par