MOSFET STMicroelectronics canal N, A-220 12 A 650 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
12 A
Tension Drain Source maximum
650 V
Séries
MDmesh M5
Type de conditionnement
TO-220
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
299 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
5V
Tension de seuil minimale de la grille
3V
Dissipation de puissance maximum
90 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
+25 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
4.6mm
Longueur
10.4mm
Charge de Grille type @ Vgs
31 nC V @ 10
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
150 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Taille
9.15mm
Pays d'origine
Malaysia
Détails du produit
Canal N MDmesh™ série M5, STMicroelectronics
Les transistors de puissance MOSFET MDmesh M5 sont optimisés pour les topologies PFC et PWM haute puissance. Les principales caractéristiques incluent une zone de faible perte à l'état passant par silicone combinée à une faible charge de grille. Ils sont conçus pour les applications de commutation difficile éco-énergétiques, compactes et fiables, telles que les convertisseurs d'énergie solaire, les alimentations pour les produits de consommation et les commandes d'éclairage électronique.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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€ 97,46
€ 1,949 Each (In a Tube of 50) (hors TVA)
50
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| Quantité | Prix unitaire | Par Tube |
|---|---|---|
| 50 - 50 | € 1,949 | € 97,46 |
| 100 - 200 | € 1,897 | € 94,84 |
| 250 - 450 | € 1,847 | € 92,35 |
| 500 - 950 | € 1,799 | € 89,97 |
| 1000+ | € 1,754 | € 87,71 |
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N
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12 A
Tension Drain Source maximum
650 V
Séries
MDmesh M5
Type de conditionnement
TO-220
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
299 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
5V
Tension de seuil minimale de la grille
3V
Dissipation de puissance maximum
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Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
+25 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
4.6mm
Longueur
10.4mm
Charge de Grille type @ Vgs
31 nC V @ 10
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
150 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Taille
9.15mm
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Malaysia
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