Documents techniques
Spécifications
Brand
ToshibaType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
0.3 A
Tension Drain Source maximum
-60 V
Type d'emballage
US6
Type de montage
CMS
Nombre de broche
6
Résistance Drain Source maximum
1,2 e + 006 Ω
Tension de seuil maximale de la grille
2.1V
Nombre d'éléments par circuit
2
Matériau du transistor
Silicium
€ 29,95
€ 0,075 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
400
€ 29,95
€ 0,075 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
400
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Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
---|---|---|
400 - 600 | € 0,075 | € 14,98 |
800 - 1000 | € 0,074 | € 14,74 |
1200 - 2800 | € 0,069 | € 13,79 |
3000+ | € 0,063 | € 12,60 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
ToshibaType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
0.3 A
Tension Drain Source maximum
-60 V
Type d'emballage
US6
Type de montage
CMS
Nombre de broche
6
Résistance Drain Source maximum
1,2 e + 006 Ω
Tension de seuil maximale de la grille
2.1V
Nombre d'éléments par circuit
2
Matériau du transistor
Silicium