MOSFET Toshiba canal N, A-247 39 A 600 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
ToshibaType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
39 A
Tension Drain Source maximum
600 V
Série
TK
Type d'emballage
TO-247
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
65 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
3.7V
Dissipation de puissance maximum
270 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±30 V
Largeur
5.02mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
15.94mm
Charge de Grille type @ Vgs
110 nC V @ 10
Température d'utilisation maximum
150 °C
Taille
20.95mm
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistor MOSFET à canal N, série TK3x, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
€ 5,18
€ 5,18 Each (hors TVA)
1
€ 5,18
€ 5,18 Each (hors TVA)
1
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Veuillez vérifier à nouveau plus tard.
| Quantité | Prix unitaire |
|---|---|
| 1 - 9 | € 5,18 |
| 10 - 49 | € 4,27 |
| 50 - 99 | € 3,90 |
| 100 - 199 | € 3,81 |
| 200+ | € 3,71 |
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
Documents techniques
Spécifications
Brand
ToshibaType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
39 A
Tension Drain Source maximum
600 V
Série
TK
Type d'emballage
TO-247
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
65 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
3.7V
Dissipation de puissance maximum
270 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±30 V
Largeur
5.02mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
15.94mm
Charge de Grille type @ Vgs
110 nC V @ 10
Température d'utilisation maximum
150 °C
Taille
20.95mm
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistor MOSFET à canal N, série TK3x, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.