MOSFET Toshiba canal N, A-220 60 A 60 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
ToshibaType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
60 A
Tension Drain Source maximum
-60 V
Séries
TK
Type d'emballage
TO-220
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
10.4 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Dissipation de puissance maximum
67 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
4.45mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10.16mm
Charge de Grille type @ Vgs
23 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Taille
15.1mm
Détails du produit
MOSFET Transistors, Toshiba
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
€ 5,31
€ 1,063 Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
Standard
5
€ 5,31
€ 1,063 Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
Standard
5
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Veuillez vérifier à nouveau plus tard.
| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 5 - 45 | € 1,063 | € 5,31 |
| 50 - 120 | € 0,965 | € 4,82 |
| 125 - 245 | € 0,913 | € 4,56 |
| 250 - 495 | € 0,839 | € 4,20 |
| 500+ | € 0,775 | € 3,88 |
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
Documents techniques
Spécifications
Brand
ToshibaType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
60 A
Tension Drain Source maximum
-60 V
Séries
TK
Type d'emballage
TO-220
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
10.4 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Dissipation de puissance maximum
67 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
4.45mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10.16mm
Charge de Grille type @ Vgs
23 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Taille
15.1mm
Détails du produit
MOSFET Transistors, Toshiba
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.