MOSFET Toshiba canal N, TO-220SIS 72 A 80 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
ToshibaType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
72 A
Tension Drain Source maximum
80 V
Séries
TK
Type de boîtier
TO-220SIS
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
4,5 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Dissipation de puissance maximum
45 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10mm
Charge de Grille type @ Vgs
81 nC V @ 10
Température d'utilisation maximum
150 °C
Largeur
4.5mm
Matériau du transistor
Si
Taille
15mm
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistor MOSFET à canal N, séries TK6 et TK7, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
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€ 5,68
€ 1,136 Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
5
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5
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| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 5 - 20 | € 1,136 | € 5,68 |
| 25 - 95 | € 0,998 | € 4,99 |
| 100 - 245 | € 0,872 | € 4,36 |
| 250 - 495 | € 0,832 | € 4,16 |
| 500+ | € 0,808 | € 4,04 |
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Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
4,5 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Dissipation de puissance maximum
45 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10mm
Charge de Grille type @ Vgs
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Température d'utilisation maximum
150 °C
Largeur
4.5mm
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Taille
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