MOSFET Vishay canal P, TO-220AB 1,8 A 200 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
1.8 A
Tension Drain Source maximum
200 V
Type de conditionnement
TO-220AB, TO-220FL
Type de montage
Through Hole
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum
3 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
2 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Charge de Grille type @ Vgs
11 nC V @ 10
Largeur
4.7mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10.41mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Taille
9.01mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistor MOSFET canal P, de 100 à 400 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
€ 1,48
€ 1,48 Each (hors TVA)
Standard
1
€ 1,48
€ 1,48 Each (hors TVA)
Standard
1
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Veuillez vérifier à nouveau plus tard.
| Quantité | Prix unitaire |
|---|---|
| 1 - 9 | € 1,48 |
| 10 - 49 | € 1,33 |
| 50 - 99 | € 1,26 |
| 100 - 249 | € 1,11 |
| 250+ | € 1,03 |
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
1.8 A
Tension Drain Source maximum
200 V
Type de conditionnement
TO-220AB, TO-220FL
Type de montage
Through Hole
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum
3 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
2 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Charge de Grille type @ Vgs
11 nC V @ 10
Largeur
4.7mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10.41mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Taille
9.01mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistor MOSFET canal P, de 100 à 400 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.