MOSFET Vishay canal P, HVMDIP 1,1 A 60 V, 4 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
1.1 A
Tension Drain Source maximum
-60 V
Type de conditionnement
HVMDIP
Type de fixation
Through Hole
Nombre de broche
4
Résistance Drain Source maximum
500 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
1.3 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
6.29mm
Longueur
5mm
Charge de Grille type @ Vgs
12 nC V @ 10
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Hauteur
3.37mm
Détails du produit
Transistor MOSFET canal P, de 30 à 80 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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€ 38,60
€ 0,386 Each (In a Tube of 100) (hors TVA)
100
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| Quantité | Prix unitaire | Par Tube |
|---|---|---|
| 100 - 100 | € 0,386 | € 38,60 |
| 200 - 400 | € 0,363 | € 36,29 |
| 500+ | € 0,328 | € 32,81 |
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Nombre de broche
4
Résistance Drain Source maximum
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Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
1.3 W
Configuration du transistor
Single
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±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
6.29mm
Longueur
5mm
Charge de Grille type @ Vgs
12 nC V @ 10
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Température de fonctionnement minimum
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