MOSFET Vishay canal N, SOT-223 1,5 A 100 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
1.5 A
Tension Drain Source maximum
-100 V
Type de conditionnement
SOT-223-5
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
540 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
3,1 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
3.7mm
Longueur
6.7mm
Charge de Grille type @ Vgs
8,3 nC @ 10 V
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
150 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Taille
1.8mm
Détails du produit
Transistor MOSFET canal N, de 100 à 150 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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€ 786,11
€ 0,314 Each (On a Reel of 2500) (hors TVA)
2500
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Single
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1
Largeur
3.7mm
Longueur
6.7mm
Charge de Grille type @ Vgs
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Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
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