MOSFET Vishay canal P, SOT-23 6 A 12 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
6 A
Tension Drain Source maximum
12 V
Type de boîtier
SOT-23, TO-236
Type de fixation
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
19 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
0.4V
Dissipation de puissance maximum
1.7 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-8 V, +8 V
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
3.04mm
Charge de Grille type @ Vgs
23 nC @ 8 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Largeur
1.4mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Taille
1.02mm
Détails du produit
Transistor MOSFET canal P, de 8 à 20 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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€ 35,39
€ 0,354 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
100
€ 35,39
€ 0,354 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Paquet de production (Bobine)
100
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| Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
|---|---|---|
| 100 - 490 | € 0,354 | € 3,54 |
| 500 - 990 | € 0,321 | € 3,21 |
| 1000 - 2490 | € 0,301 | € 3,01 |
| 2500+ | € 0,283 | € 2,83 |
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6 A
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12 V
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CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
19 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
0.4V
Dissipation de puissance maximum
1.7 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-8 V, +8 V
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
3.04mm
Charge de Grille type @ Vgs
23 nC @ 8 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Largeur
1.4mm
Température de fonctionnement minimum
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