Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
6 A
Tension Drain Source maximum
20 V (canal N), -20 V (canal P)
Type d'emballage
TSOP-6
Type de montage
CMS
Nombre de broche
6
Résistance Drain Source maximum
60 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
0.4V
Dissipation de puissance maximum
3.3 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-8 V, +8 V
Charge de Grille type @ Vgs
30 nC @ 8 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Largeur
1.7mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
3.1mm
Taille
1mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistor MOSFET canal P, de 8 à 20 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
€ 5,56
€ 0,278 Each (In a Pack of 20) (hors TVA)
Standard
20
€ 5,56
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Standard
20
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VishayType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
6 A
Tension Drain Source maximum
20 V (canal N), -20 V (canal P)
Type d'emballage
TSOP-6
Type de montage
CMS
Nombre de broche
6
Résistance Drain Source maximum
60 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
0.4V
Dissipation de puissance maximum
3.3 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-8 V, +8 V
Charge de Grille type @ Vgs
30 nC @ 8 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Largeur
1.7mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
3.1mm
Taille
1mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Pays d'origine
China
Détails du produit