MOSFET Vishay canal N, TO-247AC 19 A 500 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
19 A
Tension Drain Source maximum
500 V
Série
E Series
Type de conditionnement
TO-247AC
Type de fixation
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
180 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
179 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±30 V
Largeur
5.31mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
15.87mm
Charge de Grille type @ Vgs
46 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Hauteur
20.82mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1.2V
Détails du produit
Transistor MOSFET à canal N, série E, facteur de mérite faible, Vishay Semiconductor
Les transistors MOSFET haute tension de la série E de Vishay présentent une résistance à l'état passant maximale ultra-faible, un facteur de mérite faible et une commutation rapide. Ils sont disponibles dans une large gamme d'intensités nominales. Les applications typiques incluent les alimentations de serveurs et télécommunication, l'éclairage à LED, les convertisseurs Flyback, la correction du facteur de puissance et les alimentations à découpage.
Caractéristiques
Facteur de mérite (FOM) faible RDS(on) x Qg
Faible capacité d'entrée
Faible résistance à l'état passant (RDS(on))
Très faible charge de grille (Qg)
Commutation rapide
Pertes de conduction et de commutation réduites
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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€ 6,73
€ 3,367 Each (In a Pack of 2) (hors TVA)
Standard
2
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| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 2 - 18 | € 3,367 | € 6,74 |
| 20 - 98 | € 3,168 | € 6,34 |
| 100 - 198 | € 2,863 | € 5,73 |
| 200 - 498 | € 2,693 | € 5,38 |
| 500+ | € 2,528 | € 5,06 |
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Tension Drain Source maximum
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Série
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Type de fixation
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
180 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Tension de seuil minimale de la grille
2V
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179 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±30 V
Largeur
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Si
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Longueur
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Charge de Grille type @ Vgs
46 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Hauteur
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Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1.2V
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Transistor MOSFET à canal N, série E, facteur de mérite faible, Vishay Semiconductor
Les transistors MOSFET haute tension de la série E de Vishay présentent une résistance à l'état passant maximale ultra-faible, un facteur de mérite faible et une commutation rapide. Ils sont disponibles dans une large gamme d'intensités nominales. Les applications typiques incluent les alimentations de serveurs et télécommunication, l'éclairage à LED, les convertisseurs Flyback, la correction du facteur de puissance et les alimentations à découpage.
Caractéristiques
Facteur de mérite (FOM) faible RDS(on) x Qg
Faible capacité d'entrée
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