Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
40 A
Tension Drain Source maximum
-60 V
Séries
SQ Rugged
Type de conditionnement
DPAK (TO-252)
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
29 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
1.5V
Dissipation de puissance maximum
75000 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
6.22mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
6.73mm
Charge de Grille type @ Vgs
34 nC V @ 10
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Taille
2.38mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Standard automobile
AEC-Q101
Détails du produit
Transistor MOSFET canal N, série SQ Rugged pour l'automobile, Vishay Semiconductor
La série SQ de transistors MOSFET de Vishay Semiconductor est conçue pour toutes les applications automobiles qui exigent une robustesse et une fiabilité élevée.
Avantages des transistors MOSFET de la série SQ Rugged
Certifié AEC-Q101
Température de jonction jusqu'à +175 °C
Technologies TrenchFET® à canal N et P à faible résistance à l'état passant
Options de boîtier innovantes à gain de place
Approvals
AEC-Q101
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
€ 9,57
€ 1,913 Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
Standard
5
€ 9,57
€ 1,913 Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
Standard
5
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Veuillez vérifier à nouveau plus tard.
Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
---|---|---|
5 - 45 | € 1,913 | € 9,57 |
50 - 120 | € 1,723 | € 8,62 |
125 - 245 | € 1,626 | € 8,13 |
250 - 495 | € 1,531 | € 7,65 |
500+ | € 1,436 | € 7,18 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
40 A
Tension Drain Source maximum
-60 V
Séries
SQ Rugged
Type de conditionnement
DPAK (TO-252)
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
29 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
1.5V
Dissipation de puissance maximum
75000 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
6.22mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
6.73mm
Charge de Grille type @ Vgs
34 nC V @ 10
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Taille
2.38mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Standard automobile
AEC-Q101
Détails du produit
Transistor MOSFET canal N, série SQ Rugged pour l'automobile, Vishay Semiconductor
La série SQ de transistors MOSFET de Vishay Semiconductor est conçue pour toutes les applications automobiles qui exigent une robustesse et une fiabilité élevée.
Avantages des transistors MOSFET de la série SQ Rugged
Certifié AEC-Q101
Température de jonction jusqu'à +175 °C
Technologies TrenchFET® à canal N et P à faible résistance à l'état passant
Options de boîtier innovantes à gain de place
Approvals
AEC-Q101