MOSFET Vishay canal N, DPAK (TO-252) 40 A 60 V, 3 broches

N° de stock RS: 787-9484Marque: VishayN° de pièce Mfr: SQD40N06-14L_GE3
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Documents techniques

Spécifications

Brand

Vishay

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum

40 A

Tension Drain Source maximum

-60 V

Séries

SQ Rugged

Type de conditionnement

DPAK (TO-252)

Type de montage

CMS

Nombre de broche

3

Résistance Drain Source maximum

29 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil minimale de la grille

1.5V

Dissipation de puissance maximum

75000 mW

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

±20 V

Largeur

6.22mm

Matériau du transistor

Si

Nombre d'éléments par circuit

1

Longueur

6.73mm

Charge de Grille type @ Vgs

34 nC V @ 10

Température d'utilisation maximum

+175 °C

Taille

2.38mm

Température de fonctionnement minimum

-55 °C

Standard automobile

AEC-Q101

Détails du produit

Transistor MOSFET canal N, série SQ Rugged pour l'automobile, Vishay Semiconductor

La série SQ de transistors MOSFET de Vishay Semiconductor est conçue pour toutes les applications automobiles qui exigent une robustesse et une fiabilité élevée.

Avantages des transistors MOSFET de la série SQ Rugged

• Certifié AEC-Q101
• Température de jonction jusqu'à +175 °C
• Technologies TrenchFET® à canal N et P à faible résistance à l'état passant
• Options de boîtier innovantes à gain de place

Approvals

AEC-Q101

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

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€ 9,57

€ 1,913 Each (In a Pack of 5) (hors TVA)

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QuantitéPrix unitairePar Paquet
5 - 45€ 1,913€ 9,57
50 - 120€ 1,723€ 8,62
125 - 245€ 1,626€ 8,13
250 - 495€ 1,531€ 7,65
500+€ 1,436€ 7,18

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Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum

40 A

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Type de conditionnement

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Type de montage

CMS

Nombre de broche

3

Résistance Drain Source maximum

29 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil minimale de la grille

1.5V

Dissipation de puissance maximum

75000 mW

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

±20 V

Largeur

6.22mm

Matériau du transistor

Si

Nombre d'éléments par circuit

1

Longueur

6.73mm

Charge de Grille type @ Vgs

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Température d'utilisation maximum

+175 °C

Taille

2.38mm

Température de fonctionnement minimum

-55 °C

Standard automobile

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La série SQ de transistors MOSFET de Vishay Semiconductor est conçue pour toutes les applications automobiles qui exigent une robustesse et une fiabilité élevée.

Avantages des transistors MOSFET de la série SQ Rugged

• Certifié AEC-Q101
• Température de jonction jusqu'à +175 °C
• Technologies TrenchFET® à canal N et P à faible résistance à l'état passant
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