Documents techniques
Spécifications
Brand
DiodesZetexType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
150 mA
Tension Drain Source maximum
-60 V
Type d'emballage
SOT-23, TO-236
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
5 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
3V
Dissipation de puissance maximum
330 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
1.4mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
3.05mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Taille
1mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistor MOSFET à canal N, 40 à 90 V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
€ 12,84
€ 0,428 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
30
€ 12,84
€ 0,428 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
30
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Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
---|---|---|
30 - 145 | € 0,428 | € 2,14 |
150 - 745 | € 0,323 | € 1,62 |
750 - 1495 | € 0,285 | € 1,43 |
1500+ | € 0,254 | € 1,27 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
DiodesZetexType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
150 mA
Tension Drain Source maximum
-60 V
Type d'emballage
SOT-23, TO-236
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
5 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
3V
Dissipation de puissance maximum
330 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
1.4mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
3.05mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Taille
1mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Pays d'origine
China
Détails du produit