Documents techniques
Spécifications
Brand
DiodesZetexType de canal
N, P
Courant continu de Drain maximum
9.3 A, 9.6 A
Tension Drain Source maximum
35 V
Type d'emballage
DPAK (TO-252)
Type de montage
CMS
Nombre de broche
4
Résistance Drain Source maximum
65 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
3V
Dissipation de puissance maximum
8.9 W
Configuration du transistor
Isolated
Tension Grille Source maximum
±20 V
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
2
Largeur
6.2mm
Longueur
6.7mm
Charge de Grille type @ Vgs
18,7 nC @ 10 V, 19,2 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Hauteur
2.39mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1.2V
Détails du produit
Transistor MOSFET à double canal N/P, Diodes Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
€ 8,79
€ 0,44 Each (In a Pack of 20) (hors TVA)
Standard
20
€ 8,79
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Standard
20
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DiodesZetexType de canal
N, P
Courant continu de Drain maximum
9.3 A, 9.6 A
Tension Drain Source maximum
35 V
Type d'emballage
DPAK (TO-252)
Type de montage
CMS
Nombre de broche
4
Résistance Drain Source maximum
65 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
3V
Dissipation de puissance maximum
8.9 W
Configuration du transistor
Isolated
Tension Grille Source maximum
±20 V
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
2
Largeur
6.2mm
Longueur
6.7mm
Charge de Grille type @ Vgs
18,7 nC @ 10 V, 19,2 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Hauteur
2.39mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1.2V
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