MOSFET DiodesZetex canal N/P, DPAK (TO-252) 9,3 A, 9,6 A 35 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
DiodesZetexType de canal
N, P
Courant continu de Drain maximum
9.3 A, 9.6 A
Tension Drain Source maximum
35 V
Type de conditionnement
DPAK (TO-252)
Type de fixation
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
65 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
3V
Dissipation de puissance maximum
8.9 W
Configuration du transistor
Isolated
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
6.2mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
2
Longueur
6.7mm
Charge de Grille type @ Vgs
18,7 nC @ 10 V, 19,2 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Hauteur
2.39mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1.2V
Détails du produit
Transistor MOSFET à double canal N/P, Diodes Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
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€ 36,80
€ 0,368 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
100
€ 36,80
€ 0,368 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
100
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| Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
|---|---|---|
| 100 - 480 | € 0,368 | € 7,36 |
| 500 - 980 | € 0,33 | € 6,61 |
| 1000+ | € 0,295 | € 5,90 |
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N, P
Courant continu de Drain maximum
9.3 A, 9.6 A
Tension Drain Source maximum
35 V
Type de conditionnement
DPAK (TO-252)
Type de fixation
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
65 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
3V
Dissipation de puissance maximum
8.9 W
Configuration du transistor
Isolated
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
6.2mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
2
Longueur
6.7mm
Charge de Grille type @ Vgs
18,7 nC @ 10 V, 19,2 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Hauteur
2.39mm
Température de fonctionnement minimum
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