Documents techniques
Spécifications
Brand
DiodesZetexType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
12.2 A
Tension Drain Source maximum
40 V
Type de conditionnement
DPAK (TO-252)
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
61 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
3V
Dissipation de puissance maximum
8.49 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
6.73mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Charge de Grille type @ Vgs
9,2 nC @ 10 V
Largeur
6.22mm
Matériau du transistor
Si
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Taille
2.39mm
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistor MOSFET à canal N, 40 à 90 V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
€ 12,14
€ 0,486 Each (In a Pack of 25) (hors TVA)
Standard
25
€ 12,14
€ 0,486 Each (In a Pack of 25) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Standard
25
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
---|---|---|
25 - 50 | € 0,486 | € 12,14 |
75 - 225 | € 0,445 | € 11,13 |
250 - 475 | € 0,432 | € 10,81 |
500 - 975 | € 0,423 | € 10,58 |
1000+ | € 0,412 | € 10,29 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
DiodesZetexType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
12.2 A
Tension Drain Source maximum
40 V
Type de conditionnement
DPAK (TO-252)
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
61 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
3V
Dissipation de puissance maximum
8.49 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
6.73mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Charge de Grille type @ Vgs
9,2 nC @ 10 V
Largeur
6.22mm
Matériau du transistor
Si
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Taille
2.39mm
Pays d'origine
China
Détails du produit