Documents techniques
Spécifications
Brand
DiodesZetexType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
26 A
Tension Drain Source maximum
-60 V
Type d'emballage
DI5060
Séries
DMP
Type de montage
CMS
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
60 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
3V
Tension de seuil minimale de la grille
1V
Dissipation de puissance maximum
1.5 W
Tension Grille Source maximum
±20 V
Longueur
4.95mm
Charge de Grille type @ Vgs
30,6 @ 10 V nC
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Nombre d'éléments par circuit
2
Largeur
3.95mm
Hauteur
1.05mm
Standard automobile
AEC-Q101
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1.2V
Détails du produit
Transistor MOSFET à double canal P, Diodes Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
€ 8,29
€ 0,829 Each (In a Pack of 10) (hors TVA)
Standard
10
€ 8,29
€ 0,829 Each (In a Pack of 10) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Standard
10
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
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Spécifications
Brand
DiodesZetexType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
26 A
Tension Drain Source maximum
-60 V
Type d'emballage
DI5060
Séries
DMP
Type de montage
CMS
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
60 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
3V
Tension de seuil minimale de la grille
1V
Dissipation de puissance maximum
1.5 W
Tension Grille Source maximum
±20 V
Longueur
4.95mm
Charge de Grille type @ Vgs
30,6 @ 10 V nC
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Nombre d'éléments par circuit
2
Largeur
3.95mm
Hauteur
1.05mm
Standard automobile
AEC-Q101
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1.2V
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