Documents techniques
Spécifications
Brand
DiodesZetexType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
270 mA
Tension Drain Source maximum
-60 V
Type d'emballage
E ligne
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
5 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.5V
Dissipation de puissance maximum
625 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
2.41mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
4.77mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Taille
4.01mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistor MOSFET à canal N, 40 à 90 V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
€ 4,87
€ 0,975 Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
Standard
5
€ 4,87
€ 0,975 Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
Standard
5
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Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
---|---|---|
5 - 45 | € 0,975 | € 4,87 |
50 - 195 | € 0,575 | € 2,88 |
200 - 995 | € 0,504 | € 2,52 |
1000 - 1995 | € 0,428 | € 2,14 |
2000+ | € 0,361 | € 1,81 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
DiodesZetexType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
270 mA
Tension Drain Source maximum
-60 V
Type d'emballage
E ligne
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
5 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.5V
Dissipation de puissance maximum
625 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
2.41mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
4.77mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Taille
4.01mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit