Documents techniques
Spécifications
Brand
DiodesZetexType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
450 mA
Tension Drain Source maximum
-100 V
Type de boîtier
TO-92
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
1,5 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.4V
Dissipation de puissance maximum
700 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
4.95mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Taille
4.95mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistor MOSFET à canal N, 100 V à 950 V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
€ 4,12
€ 0,825 Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
Standard
5
€ 4,12
€ 0,825 Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
Standard
5
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Veuillez vérifier à nouveau plus tard.
Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
---|---|---|
5 - 45 | € 0,825 | € 4,12 |
50+ | € 0,699 | € 3,49 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
DiodesZetexType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
450 mA
Tension Drain Source maximum
-100 V
Type de boîtier
TO-92
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
1,5 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.4V
Dissipation de puissance maximum
700 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
4.95mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Taille
4.95mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit