Transistor MOSFET Fairchild Semiconductor canal N, TO-220AB 19 A 55 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Type de canal
N
Courant continu de Drain maximum
19 A
Tension Drain Source maximum
55 V
Type de conditionnement
TO-220AB
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
70 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum
55 W
Tension Grille Source maximum
±20 V
Charge de Grille type @ Vgs
20 nC @ 20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Longueur
10.67mm
Largeur
4.83mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Taille
9.65mm
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Prix sur demande
Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
Standard
5
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N
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55 V
Type de conditionnement
TO-220AB
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Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
70 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum
55 W
Tension Grille Source maximum
±20 V
Charge de Grille type @ Vgs
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1
Température d'utilisation maximum
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