Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
545 A
Tension Drain Source maximum
40 V
Séries
HEXFET
Type d'emballage
DirectFET
Type de montage
CMS
Nombre de broche
15
Résistance Drain Source maximum
0,0006 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
3.9V
Nombre d'éléments par circuit
1
Matériau du transistor
Silicium
€ 15,62
€ 7,808 Each (In a Pack of 2) (hors TVA)
Standard
2
€ 15,62
€ 7,808 Each (In a Pack of 2) (hors TVA)
Standard
2
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Veuillez vérifier à nouveau plus tard.
Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
---|---|---|
2 - 8 | € 7,808 | € 15,62 |
10 - 18 | € 7,03 | € 14,06 |
20 - 48 | € 6,638 | € 13,28 |
50 - 98 | € 6,168 | € 12,34 |
100+ | € 5,699 | € 11,40 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
545 A
Tension Drain Source maximum
40 V
Séries
HEXFET
Type d'emballage
DirectFET
Type de montage
CMS
Nombre de broche
15
Résistance Drain Source maximum
0,0006 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
3.9V
Nombre d'éléments par circuit
1
Matériau du transistor
Silicium