MOSFET Infineon canal N, SuperSO8 5 x 6 100 A 25 V, 8 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
100 A
Tension Drain Source maximum
25 V
Série
OptiMOS™ 5
Type de conditionnement
SuperSO8 5 x 6
Type de fixation
CMS
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
1,35 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2V
Tension de seuil minimale de la grille
1.2V
Dissipation de puissance maximum
74 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
+16 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
6.35mm
Longueur
5.49mm
Charge de Grille type @ Vgs
36 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
0.62V
Hauteur
1.1mm
Détails du produit
Transistors de puissance MOSFET OptiMOS™5 d'Infineon
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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€ 48,30
€ 1,932 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
25
€ 48,30
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Paquet de production (Bobine)
25
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| Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
|---|---|---|
| 25 - 45 | € 1,932 | € 9,66 |
| 50 - 120 | € 1,802 | € 9,01 |
| 125 - 245 | € 1,694 | € 8,47 |
| 250+ | € 1,564 | € 7,82 |
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InfineonType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
100 A
Tension Drain Source maximum
25 V
Série
OptiMOS™ 5
Type de conditionnement
SuperSO8 5 x 6
Type de fixation
CMS
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
1,35 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2V
Tension de seuil minimale de la grille
1.2V
Dissipation de puissance maximum
74 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
+16 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
6.35mm
Longueur
5.49mm
Charge de Grille type @ Vgs
36 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
0.62V
Hauteur
1.1mm
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MOSFET Transistors, Infineon
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