MOSFET Infineon canal N, TDSON 98 A 120 V, 8 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
98 A
Tension Drain Source maximum
120 V
Type de boîtier
TDSON
Séries
OptiMOS™ 3
Type de montage
CMS
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
7.7 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
139 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
5.35mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Charge de Grille type @ Vgs
66 nC @ 10 V
Largeur
6.1mm
Matériau du transistor
Si
Taille
1.1mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistors MOSFET d'alimentation Infineon OptiMOS™3, 100 V et au-delà
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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€ 2,21
€ 2,21 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
1
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4V
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Single
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±20 V
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1
Longueur
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Température d'utilisation maximum
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Charge de Grille type @ Vgs
66 nC @ 10 V
Largeur
6.1mm
Matériau du transistor
Si
Taille
1.1mm
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