MOSFET Infineon canal N, TDSON 15,2 A 200 V, 8 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
15.2 A
Tension Drain Source maximum
200 V
Type de boîtier
TDSON
Séries
OptiMOS™ 3
Type de montage
CMS
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
90 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum
62.5 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Largeur
5.35mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
6.1mm
Charge de Grille type @ Vgs
9 nC V @ 10
Taille
1.1mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1.2V
Détails du produit
Transistors MOSFET d'alimentation Infineon OptiMOS™3, 100 V et au-delà
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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€ 12,00
€ 1,20 Each (In a Pack of 10) (hors TVA)
Standard
10
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Standard
10
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| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 10 - 40 | € 1,20 | € 12,00 |
| 50 - 90 | € 1,141 | € 11,41 |
| 100 - 240 | € 1,092 | € 10,92 |
| 250 - 490 | € 1,045 | € 10,45 |
| 500+ | € 0,661 | € 6,61 |
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N
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Séries
OptiMOS™ 3
Type de montage
CMS
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
90 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
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62.5 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Largeur
5.35mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
6.1mm
Charge de Grille type @ Vgs
9 nC V @ 10
Taille
1.1mm
Température de fonctionnement minimum
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1.2V
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