MOSFET Infineon canal N, SOT-23 21 mA 600 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
21 mA
Tension Drain Source maximum
600 V
Type de boîtier
SOT-23, TO-236
Séries
SIPMOS®
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
600 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.6V
Tension de seuil minimale de la grille
1.4V
Dissipation de puissance maximum
0,5 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Longueur
2.9mm
Charge de Grille type @ Vgs
0,65 nC @ 10 V
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
150 °C
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
1.3mm
Hauteur
1mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistor MOSFET à canal N Infineon SIPMOS®
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
€ 276,98
€ 0,092 Each (On a Reel of 3000) (hors TVA)
3000
€ 276,98
€ 0,092 Each (On a Reel of 3000) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
3000
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
| Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | € 0,092 | € 276,98 |
| 6000 - 12000 | € 0,088 | € 263,14 |
| 15000+ | € 0,083 | € 249,29 |
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
21 mA
Tension Drain Source maximum
600 V
Type de boîtier
SOT-23, TO-236
Séries
SIPMOS®
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
600 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.6V
Tension de seuil minimale de la grille
1.4V
Dissipation de puissance maximum
0,5 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Longueur
2.9mm
Charge de Grille type @ Vgs
0,65 nC @ 10 V
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
150 °C
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
1.3mm
Hauteur
1mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistor MOSFET à canal N Infineon SIPMOS®
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.