MOSFET Infineon canal P, SOT-23 330 mA 60 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
330 mA
Tension Drain Source maximum
-60 V
Type de conditionnement
TO-236
Série
SIPMOS®
Type de fixation
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
3 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2V
Tension de seuil minimale de la grille
1V
Dissipation de puissance maximum
0.36 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
2.9mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Matériau du transistor
Si
Charge de Grille type @ Vgs
2,38 nC @ 10 V
Largeur
1.3mm
Hauteur
1mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistors MOSFET canal P Infineon SIPMOS®
Le transistor MOSFET canal P de petit signal Infineon SIPMOS® présente plusieurs caractéristiques qui peuvent inclure le mode d'enrichissement, le courant continu débité pouvant être aussi faible que -80 A, ainsi qu'une large plage de températures d'utilisation. Le transistor de puissance SIPMOS peut être utilisé dans une grande variété d'applications, notamment les télécommunications, eMobility, les ordinateurs PC portables, les circuits c.c./c.c., ainsi que l'industrie automobile.
· Conforme AEC Q101 (veuillez vous référer à la fiche technique)
· Placage sans plomb, conforme à la directive RoHS
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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€ 36,70
€ 0,147 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
250
€ 36,70
€ 0,147 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
250
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| Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
|---|---|---|
| 250 - 450 | € 0,147 | € 7,34 |
| 500 - 1200 | € 0,138 | € 6,91 |
| 1250 - 2450 | € 0,127 | € 6,37 |
| 2500+ | € 0,097 | € 4,86 |
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InfineonType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
330 mA
Tension Drain Source maximum
-60 V
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Série
SIPMOS®
Type de fixation
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
3 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2V
Tension de seuil minimale de la grille
1V
Dissipation de puissance maximum
0.36 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
2.9mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Matériau du transistor
Si
Charge de Grille type @ Vgs
2,38 nC @ 10 V
Largeur
1.3mm
Hauteur
1mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
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Le transistor MOSFET canal P de petit signal Infineon SIPMOS® présente plusieurs caractéristiques qui peuvent inclure le mode d'enrichissement, le courant continu débité pouvant être aussi faible que -80 A, ainsi qu'une large plage de températures d'utilisation. Le transistor de puissance SIPMOS peut être utilisé dans une grande variété d'applications, notamment les télécommunications, eMobility, les ordinateurs PC portables, les circuits c.c./c.c., ainsi que l'industrie automobile.
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