MOSFET Infineon canal N, TSDSON 20 A 60 V, 8 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
20,2 A
Tension Drain Source maximum
-60 V
Séries
OptiMOS™ 3
Type d'emballage
TSDSON
Type de montage
CMS
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
11 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
50 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
3.4mm
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
3.4mm
Charge de Grille type @ Vgs
25 nC V @ 10
Température d'utilisation maximum
150 °C
Matériau du transistor
Si
Taille
1mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Pays d'origine
Malaysia
Détails du produit
Transistors MOSFET de puissance OptiMOS™3 d'Infineon, 60 à 80 V
Les produits OptiMOS™ sont disponibles dans des boîtiers haute performance pour gérer les applications les plus difficiles ce qui donne une flexibilité totale dans les espaces réduits. Ces produits d'Infineon sont conçus pour répondre aux exigences de rendement énergétique et de densité de puissance des normes de régulation de tension des applications informatiques plus pointues de la prochaine génération et pour les dépasser.
MOSFET à commutation rapide pour SMPS
Technologie optimisée pour convertisseurs c.c./c.c.
Homologué selon la norme JEDEC1 pour les applications ciblées
Canal N, niveau logique
Une excellente charge de grille x R DS(on) produit (FOM)
Très faible résistance R DS(on)
Placage compatible sans plomb
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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€ 30,78
Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
100
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N
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Tension Drain Source maximum
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Type de montage
CMS
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
11 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
50 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
3.4mm
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1
Longueur
3.4mm
Charge de Grille type @ Vgs
25 nC V @ 10
Température d'utilisation maximum
150 °C
Matériau du transistor
Si
Taille
1mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Pays d'origine
Malaysia
Détails du produit
Transistors MOSFET de puissance OptiMOS™3 d'Infineon, 60 à 80 V
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MOSFET à commutation rapide pour SMPS
Technologie optimisée pour convertisseurs c.c./c.c.
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Une excellente charge de grille x R DS(on) produit (FOM)
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