MOSFET Infineon canal N, AG-EASY1B 25 A 1 200 V, 23 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
25 A
Tension Drain Source maximum
1200 V
Série
EasyPACK
Type de conditionnement
AG-EASY1B.
Nombre de broche
23
Mode de canal
Enrichissement
Nombre d'éléments par circuit
3
Matériau du transistor
SiC
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Prix sur demande
Paquet de production (Plateau)
1
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