MOSFET Infineon canal N, PG-HSOF-8 79 A 650 V, 8 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
79 A
Tension Drain Source maximum
650 V
Séries
CoolSiC MOSFET 650 V G1
Type de conditionnement
PG-HSOF-8
Type de montage
CMS
Nombre de broche
8
Mode de canal
Enrichissement
Nombre d'éléments par circuit
1
Matériau du transistor
SiC
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
€ 31 702,57
€ 15,851 Each (On a Reel of 2000) (hors TVA)
2000
€ 31 702,57
€ 15,851 Each (On a Reel of 2000) (hors TVA)
2000
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Veuillez vérifier à nouveau plus tard.
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
79 A
Tension Drain Source maximum
650 V
Séries
CoolSiC MOSFET 650 V G1
Type de conditionnement
PG-HSOF-8
Type de montage
CMS
Nombre de broche
8
Mode de canal
Enrichissement
Nombre d'éléments par circuit
1
Matériau du transistor
SiC
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.