MOSFET Infineon canal N, TO-220 FP 37 A 150 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
37 A
Tension Drain Source maximum
150 V
Séries
OptiMOS™ 3
Type de conditionnement
TO-220 FP
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
11,1 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum
40.5 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
4.85mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10.65mm
Charge de Grille type @ Vgs
41 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Hauteur
16.15mm
Tension directe de la diode
1.2V
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistors MOSFET d'alimentation Infineon OptiMOS™3, 100 V et au-delà
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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€ 19,07
€ 4,766 Each (In a Pack of 4) (hors TVA)
4
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
4
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| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 4 - 16 | € 4,766 | € 19,07 |
| 20 - 36 | € 4,53 | € 18,12 |
| 40 - 96 | € 4,339 | € 17,36 |
| 100 - 196 | € 4,146 | € 16,58 |
| 200+ | € 3,86 | € 15,44 |
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N
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Type de conditionnement
TO-220 FP
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
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Mode de canal
Enrichissement
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Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
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Si
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1
Longueur
10.65mm
Charge de Grille type @ Vgs
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Température d'utilisation maximum
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Hauteur
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