Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
70 A
Tension Drain Source maximum
30 V (canal N), 30 V (canal P)
Type d'emballage
TO-252
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
6.8 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
1V
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
150 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
6.22mm
Nombre d'éléments par circuit
1
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Longueur
6.73mm
Charge de Grille type @ Vgs
131 nC @ 10 V
Taille
2.41mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Pays d'origine
Malaysia
Prix sur demande
Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
5
Prix sur demande
Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
5
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Spécifications
Brand
InfineonType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
70 A
Tension Drain Source maximum
30 V (canal N), 30 V (canal P)
Type d'emballage
TO-252
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
6.8 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
1V
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
150 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
6.22mm
Nombre d'éléments par circuit
1
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Longueur
6.73mm
Charge de Grille type @ Vgs
131 nC @ 10 V
Taille
2.41mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Pays d'origine
Malaysia