Transistor MOSFET Infineon canal P, TO-252 70 A 30 V, 3 broches

N° de stock RS: 823-5579PMarque: InfineonN° de pièce Mfr: IPD042P03L3 G
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Documents techniques

Spécifications

Type de canal

P

Courant continu de Drain maximum

70 A

Tension Drain Source maximum

30 V (canal N), 30 V (canal P)

Type d'emballage

TO-252

Type de montage

CMS

Nombre de broche

3

Résistance Drain Source maximum

6.8 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil maximale de la grille

1V

Tension de seuil minimale de la grille

2V

Dissipation de puissance maximum

150 W

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

±20 V

Largeur

6.22mm

Nombre d'éléments par circuit

1

Température d'utilisation maximum

+175 °C

Longueur

6.73mm

Charge de Grille type @ Vgs

131 nC @ 10 V

Taille

2.41mm

Température de fonctionnement minimum

-55 °C

Pays d'origine

Malaysia

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Vous pouvez être intéressé par
MOSFET Infineon canal P, DPAK (TO-252) 70 A 30 V, 3 broches
€ 1,45Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
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Prix ​​sur demande

Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)

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P

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70 A

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CMS

Nombre de broche

3

Résistance Drain Source maximum

6.8 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil maximale de la grille

1V

Tension de seuil minimale de la grille

2V

Dissipation de puissance maximum

150 W

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

±20 V

Largeur

6.22mm

Nombre d'éléments par circuit

1

Température d'utilisation maximum

+175 °C

Longueur

6.73mm

Charge de Grille type @ Vgs

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