MOSFET Infineon canal N, HSOF-8 300 A 100 V, 8 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
300 A
Tension Drain Source maximum
-100 V
Séries
OptiMOS™ 5
Type de conditionnement
HSOF-8
Type de montage
CMS
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
2 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
3.8V
Tension de seuil minimale de la grille
2.2V
Dissipation de puissance maximum
375 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
20 V
Largeur
10.58mm
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10.1mm
Charge de Grille type @ Vgs
169 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Hauteur
2.4mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1.2V
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€ 6 608,38
€ 3,304 Each (On a Reel of 2000) (hors TVA)
2000
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
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CMS
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8
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Mode de canal
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Tension de seuil maximale de la grille
3.8V
Tension de seuil minimale de la grille
2.2V
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Single
Tension Grille Source maximum
20 V
Largeur
10.58mm
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10.1mm
Charge de Grille type @ Vgs
169 nC @ 10 V
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