MOSFET Transistor & Diode Infineon canal N, IPAK (TO-251) 4 A 950 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
4 A
Tension Drain Source maximum
950 V
Séries
CoolMOS™ P7
Type de conditionnement
IPAK (TO-251)
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
2 O
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
3.5V
Nombre d'éléments par circuit
1
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€ 64,71
€ 0,863 Each (In a Tube of 75) (hors TVA)
75
€ 64,71
€ 0,863 Each (In a Tube of 75) (hors TVA)
75
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| Quantité | Prix unitaire | Par Tube |
|---|---|---|
| 75 - 75 | € 0,863 | € 64,71 |
| 150 - 300 | € 0,673 | € 50,45 |
| 375 - 675 | € 0,648 | € 48,58 |
| 750 - 1425 | € 0,612 | € 45,91 |
| 1500+ | € 0,543 | € 40,74 |
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Brand
InfineonType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
4 A
Tension Drain Source maximum
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Type de conditionnement
IPAK (TO-251)
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
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