MOSFET Infineon canal N, FET direct grand boîtier 124 A 100 V
Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
124 A
Tension Drain Source maximum
-100 V
Type de conditionnement
FET direct grand boîtier
Séries
HEXFET
Type de montage
Through Hole
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
€ 7 750,94
€ 1,938 Each (On a Reel of 4000) (hors TVA)
4000
€ 7 750,94
€ 1,938 Each (On a Reel of 4000) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
4000
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
124 A
Tension Drain Source maximum
-100 V
Type de conditionnement
FET direct grand boîtier
Séries
HEXFET
Type de montage
Through Hole
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.