MOSFET Infineon canal P, PQFN 11 A 30 V, 8 broches

Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
11 A
Tension Drain Source maximum
30 V (canal N), 30 V (canal P)
Séries
HEXFET
Type de conditionnement
PQFN
Type de montage
CMS
Nombre de broche
8
Mode de canal
Enrichissement
Nombre d'éléments par circuit
2
Matériau du transistor
Silicium
€ 1 027,81
€ 0,257 Each (On a Reel of 4000) (hors TVA)
4000
€ 1 027,81
€ 0,257 Each (On a Reel of 4000) (hors TVA)
4000
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Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
---|---|---|
4000 - 4000 | € 0,257 | € 1 027,81 |
8000+ | € 0,244 | € 976,19 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
11 A
Tension Drain Source maximum
30 V (canal N), 30 V (canal P)
Séries
HEXFET
Type de conditionnement
PQFN
Type de montage
CMS
Nombre de broche
8
Mode de canal
Enrichissement
Nombre d'éléments par circuit
2
Matériau du transistor
Silicium