MOSFET Infineon canal N, TO-247AC 180 A 100 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
180 A
Tension Drain Source maximum
-100 V
Série
HEXFET
Type de conditionnement
TO-247AC
Type de fixation
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
5 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
370 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Charge de Grille type @ Vgs
150 nC @ 10 V
Largeur
5.31mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
15.87mm
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Hauteur
20.7mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistor MOSFET pour commande de moteur et redresseur c.a.-c.c. synchrone, Infineon
MOSFET de commande moteur
Infineon propose une gamme de dispositifs MOSFET robustes à canal N et à canal P pour les applications de commande moteur.
MOSFET redresseur synchrone
La gamme de dispositifs MOSFET de redressement synchrones pour alimentations c.a.-c.c. répond aux demandes de vos clients pour une plus grande densité de puissance, une taille plus réduite, plus de portabilité et des systèmes plus souples.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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€ 77,10
€ 3,855 Each (Supplied in a Tube) (hors TVA)
Paquet de production (Tube)
20
€ 77,10
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Paquet de production (Tube)
20
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| Quantité | Prix unitaire | Par Tube |
|---|---|---|
| 20 - 48 | € 3,855 | € 7,71 |
| 50 - 98 | € 3,595 | € 7,19 |
| 100 - 198 | € 3,375 | € 6,75 |
| 200+ | € 3,115 | € 6,23 |
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InfineonType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
180 A
Tension Drain Source maximum
-100 V
Série
HEXFET
Type de conditionnement
TO-247AC
Type de fixation
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
5 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
370 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Charge de Grille type @ Vgs
150 nC @ 10 V
Largeur
5.31mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
15.87mm
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Hauteur
20.7mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
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MOSFET de commande moteur
Infineon propose une gamme de dispositifs MOSFET robustes à canal N et à canal P pour les applications de commande moteur.
MOSFET redresseur synchrone
La gamme de dispositifs MOSFET de redressement synchrones pour alimentations c.a.-c.c. répond aux demandes de vos clients pour une plus grande densité de puissance, une taille plus réduite, plus de portabilité et des systèmes plus souples.
MOSFET Transistors, Infineon
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