Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
240 A
Tension Drain Source maximum
-60 V
Type de conditionnement
D2PAK-7
Série
StrongIRFET
Type de fixation
CMS
Nombre de broche
7
Résistance Drain Source maximum
1,4 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
3.7V
Tension de seuil minimale de la grille
2.1V
Dissipation de puissance maximum
375 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Charge de Grille type @ Vgs
236 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10.67mm
Matériau du transistor
Si
Largeur
9.65mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Hauteur
4.83mm
Détails du produit
Transistor MOSFET de puissance StrongIRFET™, Infineon
La famille StrongIRFET, d'Infineon, est optimisée pour des RDS(on) faibles et une intensité de courant élevée. Cette gamme offre une meilleure porte, une robustesse dv/dt avalanche et dynamique idéale pour les applications à basse fréquence industrielles, y compris les entraînements de moteur, les outils électriques, les inverseurs et la gestion de batterie, là où performance et robustesse sont essentielles.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
€ 7,06
€ 3,53 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
2
€ 7,06
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N
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Tension Drain Source maximum
-60 V
Type de conditionnement
D2PAK-7
Série
StrongIRFET
Type de fixation
CMS
Nombre de broche
7
Résistance Drain Source maximum
1,4 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
3.7V
Tension de seuil minimale de la grille
2.1V
Dissipation de puissance maximum
375 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Charge de Grille type @ Vgs
236 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10.67mm
Matériau du transistor
Si
Largeur
9.65mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Hauteur
4.83mm
Détails du produit
Transistor MOSFET de puissance StrongIRFET™, Infineon
La famille StrongIRFET, d'Infineon, est optimisée pour des RDS(on) faibles et une intensité de courant élevée. Cette gamme offre une meilleure porte, une robustesse dv/dt avalanche et dynamique idéale pour les applications à basse fréquence industrielles, y compris les entraînements de moteur, les outils électriques, les inverseurs et la gestion de batterie, là où performance et robustesse sont essentielles.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.