MOSFET IXYS canal N, PLUS264 110 A 600 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
IXYSType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
110 A
Tension Drain Source maximum
600 V
Séries
HiperFET, Polar3
Type de boîtier
PLUS264
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
56 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
5V
Dissipation de puissance maximum
1,89 kW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±30 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
5.31mm
Longueur
20.29mm
Charge de Grille type @ Vgs
245 nC @ 10 V
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
150 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Hauteur
26.59mm
Pays d'origine
United States
Détails du produit
Transistor MOSFET de puissance à canal N, IXYS série HiperFET™ Polar3™
Une gamme de transistors MOSFETS de puissance à canal N, série IXYS Polar3™, avec diode intrinsèque rapide (HiPerFET™)
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
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€ 487,09
€ 19,484 Each (In a Tube of 25) (hors TVA)
25
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Si
Température d'utilisation maximum
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Température de fonctionnement minimum
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Hauteur
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