MOSFET IXYS canal N, A-247 18 A 1000 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
IXYSType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
18 A
Tension Drain Source maximum
1000 V
Séries
HiperFET, Q3-Class
Type de boîtier
TO-247
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
660 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
6.5V
Dissipation de puissance maximum
830 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±30 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
5.3mm
Longueur
16.26mm
Charge de Grille type @ Vgs
90 nC V @ 10
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
150 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Hauteur
16.26mm
Pays d'origine
United States
Détails du produit
Transistor MOSFET de puissance à canal N, IXYS série HiperFET™ Q3
Les transistors MOSFET de puissance IXYS de la série HiperFET™ Q3 sont adaptés aux applications de commutation dure et de mode de résonance. Ils offrent une faible charge de grille et une robustesse exceptionnelle. Les circuits sont dotés d'une diode intrinsèque rapide et sont disponibles dans de nombreux boîtiers standard, notamment des boîtiers isolés avec des valeurs nominales pouvant atteindre 1 100 V et 70 A. Les applications typiques incluent les convertisseurs CC/CC, les chargeurs de batterie, les alimentations à découpage et à mode de résonance, les choppers c.c. et les contrôleurs de température et d'éclairage.
Diode de redressement intrinsèque rapide
Faible RDS(on) et QG (charge de grille)
Grille à faible résistance intrinsèque
Boîtier standard
Boîtier à faible inductance
Puissance élevée et encombrement réduit.
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
€ 448,37
€ 14,946 Each (In a Tube of 30) (hors TVA)
30
€ 448,37
€ 14,946 Each (In a Tube of 30) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
30
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
Documents techniques
Spécifications
Brand
IXYSType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
18 A
Tension Drain Source maximum
1000 V
Séries
HiperFET, Q3-Class
Type de boîtier
TO-247
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
660 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
6.5V
Dissipation de puissance maximum
830 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±30 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
5.3mm
Longueur
16.26mm
Charge de Grille type @ Vgs
90 nC V @ 10
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
150 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Hauteur
16.26mm
Pays d'origine
United States
Détails du produit
Transistor MOSFET de puissance à canal N, IXYS série HiperFET™ Q3
Les transistors MOSFET de puissance IXYS de la série HiperFET™ Q3 sont adaptés aux applications de commutation dure et de mode de résonance. Ils offrent une faible charge de grille et une robustesse exceptionnelle. Les circuits sont dotés d'une diode intrinsèque rapide et sont disponibles dans de nombreux boîtiers standard, notamment des boîtiers isolés avec des valeurs nominales pouvant atteindre 1 100 V et 70 A. Les applications typiques incluent les convertisseurs CC/CC, les chargeurs de batterie, les alimentations à découpage et à mode de résonance, les choppers c.c. et les contrôleurs de température et d'éclairage.
Diode de redressement intrinsèque rapide
Faible RDS(on) et QG (charge de grille)
Grille à faible résistance intrinsèque
Boîtier standard
Boîtier à faible inductance
Puissance élevée et encombrement réduit.
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.