MOSFET IXYS canal N, SOT-227 115 A 300 V, 4 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
IXYSType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
115 A
Tension Drain Source maximum
300 V
Séries
HiperFET, Polar
Type de boîtier
SOT-227
Type de montage
Screw Mount
Nombre de broche
4
Résistance Drain Source maximum
24 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
5V
Dissipation de puissance maximum
700 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
25.07mm
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
38.2mm
Charge de Grille type @ Vgs
185 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Matériau du transistor
Si
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Hauteur
9.6mm
Pays d'origine
United States
Détails du produit
Transistor MOSFET de puissance à canal N, IXYS série HiperFET™ Polar™
Transistors MOSFET de puissance à canal N avec diode intrinsèque rapide (HiPerFET™) d'IXYS
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
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€ 317,52
€ 31,752 Each (In a Tube of 10) (hors TVA)
10
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
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Largeur
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Température d'utilisation maximum
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Si
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Hauteur
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