MOSFET IXYS canal N, A-220 10 A 800 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
IXYSType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
10 A
Tension Drain Source maximum
800 V
Séries
HiperFET, Polar
Type d'emballage
TO-220
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
1,1 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
5.5V
Dissipation de puissance maximum
300 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±30 V
Charge de Grille type @ Vgs
40 nC @ 10 V
Largeur
4.83mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10.66mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Taille
9.15mm
Détails du produit
Transistor MOSFET de puissance à canal N, IXYS série HiperFET™ Polar™
Transistors MOSFET de puissance à canal N avec diode intrinsèque rapide (HiPerFET™) d'IXYS
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
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€ 5,62
€ 5,62 Each (hors TVA)
Standard
1
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| Quantité | Prix unitaire |
|---|---|
| 1 - 4 | € 5,62 |
| 5 - 19 | € 5,24 |
| 20 - 49 | € 4,91 |
| 50 - 99 | € 4,24 |
| 100+ | € 4,06 |
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N
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10 A
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Type d'emballage
TO-220
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
1,1 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
5.5V
Dissipation de puissance maximum
300 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±30 V
Charge de Grille type @ Vgs
40 nC @ 10 V
Largeur
4.83mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10.66mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Taille
9.15mm
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Transistor MOSFET de puissance à canal N, IXYS série HiperFET™ Polar™
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