Transistor MOSFET Magnatec canal P, TO-220AB 3,5 A 200 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
MagnatecType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
3.5 A
Tension Drain Source maximum
200 V
Type d'emballage
TO-220AB
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
1,5 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum
40 W
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Température d'utilisation maximum
150 °C
Longueur
10.67mm
Largeur
4.83mm
Charge de Grille type @ Vgs
22 nC V @ 10
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Taille
9.02mm
Détails du produit
MOSFETs - P-Channel
The Metal–Oxide–Semiconductor Field-Effect Transistor or MOSFET is a transistor used for amplifying or switching electronic signals.A voltage on the oxide-insulated Gate electrode can induce a conducting channel between the two other contacts called Source and Drain. The channel can be of N-type or P-type.
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Prix sur demande
1
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Through Hole
Nombre de broche
3
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Mode de canal
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Dissipation de puissance maximum
40 W
Tension Grille Source maximum
±20 V
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1
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150 °C
Longueur
10.67mm
Largeur
4.83mm
Charge de Grille type @ Vgs
22 nC V @ 10
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Taille
9.02mm
Détails du produit
MOSFETs - P-Channel
The Metal–Oxide–Semiconductor Field-Effect Transistor or MOSFET is a transistor used for amplifying or switching electronic signals.A voltage on the oxide-insulated Gate electrode can induce a conducting channel between the two other contacts called Source and Drain. The channel can be of N-type or P-type.
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