Documents techniques
Spécifications
Brand
MicrochipType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
230 mA
Tension Drain Source maximum
-60 V
Type de boîtier
TO-92
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
7,5 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.5V
Dissipation de puissance maximum
1000 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±30 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
4.06mm
Longueur
5.08mm
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
150 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
0.85V
Taille
5.33mm
Pays d'origine
Philippines
Détails du produit
Transistors MOSFET canal N à mode d'enrichissement Supertex
La gamme Supertex de transistors DMOS FET (normalement éteints) à canal N et mode d'enrichissement de Microchip est adaptée à de nombreuses applications de commutation et d'amplification exigeant une faible tension de seuil, une haute tension d'isolement, une impédance d'entrée élevée, une faible capacité d'entrée et des vitesses de commutation rapides.
MOSFET Transistors, Microchip
€ 398,15
€ 0,398 Each (In a Bag of 1000) (hors TVA)
1000
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MicrochipType de canal
N
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230 mA
Tension Drain Source maximum
-60 V
Type de boîtier
TO-92
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
7,5 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.5V
Dissipation de puissance maximum
1000 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±30 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
4.06mm
Longueur
5.08mm
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
150 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
0.85V
Taille
5.33mm
Pays d'origine
Philippines
Détails du produit
Transistors MOSFET canal N à mode d'enrichissement Supertex
La gamme Supertex de transistors DMOS FET (normalement éteints) à canal N et mode d'enrichissement de Microchip est adaptée à de nombreuses applications de commutation et d'amplification exigeant une faible tension de seuil, une haute tension d'isolement, une impédance d'entrée élevée, une faible capacité d'entrée et des vitesses de commutation rapides.