Documents techniques
Spécifications
Brand
NexperiaType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
100 A
Tension Drain Source maximum
40 V
Type de conditionnement
LFPAK, SOT-669
Type de montage
CMS
Nombre de broche
4
Résistance Drain Source maximum
3,7 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
131 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
5mm
Charge de Grille type @ Vgs
63 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Largeur
4.1mm
Matériau du transistor
Si
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Taille
1.1mm
Pays d'origine
Philippines
Détails du produit
MOSFET N-Channel, 40 V à 55 V.
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
€ 6,62
€ 1,323 Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
Standard
5
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NexperiaType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
100 A
Tension Drain Source maximum
40 V
Type de conditionnement
LFPAK, SOT-669
Type de montage
CMS
Nombre de broche
4
Résistance Drain Source maximum
3,7 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
131 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
5mm
Charge de Grille type @ Vgs
63 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Largeur
4.1mm
Matériau du transistor
Si
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Taille
1.1mm
Pays d'origine
Philippines
Détails du produit