Transistor MOSFET onsemi canal N, SOT-23 200 mA 50 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
ON SemiconductorType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
200 mA
Tension Drain Source maximum
50 V
Type de conditionnement
TO-236
Type de fixation
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
3,5 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum
225 mW
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Température d'utilisation maximum
150 °C
Longueur
2.9mm
Largeur
1.3mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Hauteur
0.94mm
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Prix sur demande
Each (In a Pack of 10) (hors TVA)
10
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CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
3,5 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum
225 mW
Tension Grille Source maximum
±20 V
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